新規なポリマーおよびフォトレジスト組成物

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人センダ国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-048747
公開番号（公開出願番号）：特開2008-281990
出願日： 2008年02月28日
公開日（公表日）： 2008年11月20日
要約：

【課題】現在利用可能なフォトレジストは、多数の用途に対し好適であるが、現在のレジストは、また、特に高性能の用途、例えば、高度に解像されたサブ-ハーフミクロンおよびサブ-クォーターミクロン(sub-quarter micron)フィーチャーの形成において、顕著な欠点を示し得る。【解決手段】本発明は、1種以上のフォト酸生成剤基を含有する単位を含む新規なポリマーおよびこのポリマーを含むフォトレジストに関する。本発明の好ましいポリマーは、短い波長、例えば、250nm未満または200nm未満、特に248nmおよび193nmで画像形成されるフォトレジストにおいて使用するために好適である。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

(i)共有結合した1以上のフォト酸生成剤基および(ii)1個以上のフォト酸不安定性基を含む高次ポリマーを含む、ポジ型フォトレジスト組成物。

IPC (5件)：

G03F 7/039 , G03F 7/038 , G03F 7/004 , C08F 220/38 , H01L 21/027

FI (5件)：

G03F7/039 601 , G03F7/038 601 , G03F7/004 503A , C08F220/38 , H01L21/30 502R

Fターム (27件)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC05 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE07 , 2H025BF02 , 2H025BG00 , 2H025FA10 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 4J100AK32Q , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AR11Q , 4J100AR32Q , 4J100BA03Q , 4J100BA40Q , 4J100BA56P , 4J100BB07P , 4J100BC09Q , 4J100BC43P , 4J100BC53Q , 4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国特許第7,049,044号明細書

審査官引用 (6件)

感放射線性樹脂組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-316385 出願人：JSR株式会社
レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-373598 出願人：信越化学工業株式会社
レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-324006 出願人：信越化学工業株式会社

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