特許
J-GLOBAL ID:200903046720594540
タンデム型太陽電池
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (6件):
鈴江 武彦
, 村松 貞男
, 坪井 淳
, 橋本 良郎
, 河野 哲
, 風間 鉄也
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-287734
公開番号(公開出願番号):特開2004-128083
出願日: 2002年09月30日
公開日(公表日): 2004年04月22日
要約:
【課題】従来のような還元耐性の問題がないとともに高度な製造方法を必要とすることなく、短波長光の反射、長波長光の透過を選択的に効率的に行うことを課題とする。【解決手段】基板11の一主面に導電酸化膜12を介してアモルファスSi又は結晶質Siよりなる第1導電型発電膜、i型発電膜及びアモルファスSi又は結晶質Siよりなる第2導電型発電膜を順次形成してなるセルを多段に積層した太陽電池において、n番目(n≧2)のセルの第1導電型発電膜14aとn番目のセルのi型発電膜14b同士を、両発電膜14a、14b間に形成された絶縁膜17の開口部18を介して部分的に接触させることを特徴とするタンデム型太陽電池。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
基板の一主面に、透明電極膜を介してアモルファスSi又は結晶質Siよりなる第1導電型発電膜、i型発電膜、及びアモルファスSi又は結晶質Siよりなる第2導電型発電膜を順次形成してなるセルを多段に積層したタンデム型太陽電池において、
n番目(n≧2)のセルの第1導電型発電膜とn番目のセルのi型発電膜同士を、両発電膜間に形成された絶縁膜の開口部を介して部分的に接触させることを特徴とするタンデム型太陽電池。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (13件):
5F051AA01
, 5F051CA11
, 5F051CA40
, 5F051CB14
, 5F051CB15
, 5F051CB30
, 5F051DA04
, 5F051DA17
, 5F051DA18
, 5F051DA20
, 5F051FA03
, 5F051FA04
, 5F051GA03
引用特許:
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