ダイアフラム型真空圧力センサ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：有我軍一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-012392
公開番号（公開出願番号）：特開2001-201417
出願日： 2000年01月21日
公開日（公表日）： 2001年07月27日
要約：

【要約】【課題】圧力と静電容量との関係において線形性を向上させることにより、0.01乃至133Paの圧力範囲を高感度で測定できる小型な真空圧力センサを提供すること。【解決手段】導電性シリコン基板1上に形成されたダイアフラム2の大きさ及び厚さ、ダイアフラムと固定電極3との間隔を限定する。ダイアフラム2と、シリコン基板の両面に第1ガラス(ケース)4と第2(台座)ガラス6とを接合し、第1ガラス4の導電性シリコン基板と接合している面を凹型に形成し、ダイアフラムと固定電極とが所定間隔で対向するようにケース4凹面内面を調整し、ダイアフラムと外部とが通じるための穴を台座ガラス6に設ける。

請求項（抜粋）：

静電容量型の真空圧力を計測するセンサであって、導電性シリコン基板上に形成されたダイアフラムが四角形のとき、該ダイアフラムの大きさが5mm角以上、15mm角以下であり、厚みが5μm以上、15μm以下であり、且つ固定電極と前記ダイアフラムとの間に設けられた間隔を5μm以上、20μm以下として、0.01〜133Paの圧力範囲を測定可能となしたダイアフラム型真空圧力センサ。

IPC (3件)：

G01L 9/12 , G01L 21/00 , H01L 29/84

FI (3件)：

G01L 9/12 , G01L 21/00 Z , H01L 29/84 B

Fターム (24件)：

2F055AA40 , 2F055BB01 , 2F055BB08 , 2F055BB10 , 2F055CC02 , 2F055CC41 , 2F055DD05 , 2F055DD07 , 2F055EE25 , 2F055FF12 , 2F055GG11 , 4M112AA01 , 4M112BA07 , 4M112CA02 , 4M112CA15 , 4M112CA16 , 4M112DA04 , 4M112DA11 , 4M112DA18 , 4M112EA02 , 4M112EA06 , 4M112EA13 , 4M112FA11 , 4M112GA01

引用特許：

審査官引用 (5件)

サーボ式静電容量型真空センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-150748 出願人：アネルバ株式会社, 江刺正喜
特開昭59-228141
真空センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-134333 出願人：株式会社リケン, 江刺正喜

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