特許
J-GLOBAL ID:200903046781608411

スピン変換素子およびスピン偏極電子射出装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 三反崎 泰司 ,  藤島 洋一郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-263106
公開番号(公開出願番号):特開2008-085065
出願日: 2006年09月27日
公開日(公表日): 2008年04月10日
要約:
【課題】薄膜化に適し、かつ、スピン偏極電子を効率的に抽出可能なスピン変換素子を提供する。【解決手段】一方向に固定された磁化を有する高保磁力磁性層2と、絶縁層3と、絶縁層3を介して高保磁力磁性層2と強磁性的結合した伝導電子を有する非磁性の導電層4とを順に備える。高保磁力磁性層2との強磁性的結合により、導電層4を通過する任意方向の電子スピンS11,S12,S13を有する各伝導電子が、磁化J2の方向に平行な方向の電子スピンS21,S22,S23を有するスピン偏極電子にそれぞれ変換される。したがって、導電層4の両端に電位差を設けるようにすれば、効率的にスピン偏極電流を得ることができる。【選択図】図3
請求項(抜粋):
一方向に磁化が固定された強磁性層と、 絶縁層と、 前記絶縁層を介して前記強磁性層と強磁性結合した伝導電子を含む非磁性導電層と を順に有することを特徴とするスピン変換素子。
IPC (1件):
H01L 29/82
FI (1件):
H01L29/82 Z
Fターム (7件):
5F092AC25 ,  5F092BD03 ,  5F092BD04 ,  5F092BD13 ,  5F092BD14 ,  5F092BD20 ,  5F092BD23
引用特許:
出願人引用 (4件)
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