特許
J-GLOBAL ID：200903041089054706
スピントランジスター
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森下 賢樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-567022
公開番号（公開出願番号）：特表2003-526939
出願日： 2001年03月13日
公開日（公表日）： 2003年09月09日
要約：
【要約】スピントランジスター(10)は、強磁性体材料で形成され3端子素子のうちエミッター(20)をなすスピン注入素子(50)と、強磁性体材料で形成されコレクター(40)をなすスピンフィルター(70)と、半導体ベース(30)の領域とを含む。トンネル障壁(60)は酸化アルミニウムのような絶縁性の酸化金属で形成され、エミッター(20)とベース(30)の間に配される。トンネル障壁(60)は、キャリアがベース(30)へ注入される際のスピン減極の発生度合いを軽減し、スピン注入エネルギーの選択を可能にする。実施の形態において、ベース(30)とコレクター(40)の間に第2のトンネル障壁(80)を形成してもよい。その製造方法もまた提供される。
請求項（抜粋）：
エミッターをなす第1の領域と、半導体のベースをなす第2の領域と、コレクターをなす第3の領域と、を含むスピントランジスターであって、 前記エミッターは、前記エミッターから前記ベースへ注入される荷電キャリアをスピン偏極するためのスピン偏極子を含み、 前記コレクターは、前記コレクターにおいて前記ベースから受けた荷電キャリアのスピンフィルタリングを行うためのスピンフィルターを含み、 前記エミッターは、スピン偏極した荷電キャリアを前記半導体のベースへトンネル注入するために設けられたトンネル障壁をさらに含むことを特徴とするスピントランジスター。
IPC (2件)：
Fターム (6件)：
5F003AZ03
, 5F003BC02
, 5F003BE02
, 5F003BF08
, 5F003BG08
, 5F003BN00
