特許
J-GLOBAL ID：200903046814242140

半導体装置の製造方法

発明者：
松本 良一

松本 良一 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-308900
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148325
出願日： 1995年11月28日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：
【要約】【課題】 面内膜厚均一性および電気的特性に優れた酸窒化膜を得ることができる半導体装置製造方法を提供する。【解決手段】 ウェハーをランプ加熱炉のチャンバーに搬入し、チャンバー内を1×10-1Torr以下まで減圧し、O2ガスを流して大気圧まで戻し、50〜200°C/秒のレートで昇温させ、ウェハー温度をおよそ1100°Cに保持して所定膜厚の酸化膜を形成し、次に600°C以下まで降温させ、減圧して酸化工程を終了する。次にNH3ガスを流して大気圧まで戻し、酸化工程と同様に昇温させ、およそ1000°Cに保持し、酸化膜を窒化して酸窒化膜を形成し、降温させ、減圧して窒化工程を終了する。次にN2Oガスを流し、真空度を25Torr未満に保ちながら、酸化工程と同様に昇温させ、およそ1100°Cに30秒間保持して酸窒膜の脱水素処理を行い、降温させ、減圧して脱水素工程を終了する。
請求項（抜粋）：
シリコン基板に熱酸化膜を形成する酸化工程と、NH3雰囲気中において前記酸化膜に熱処理を施すことにより、前記酸化膜を窒化して酸窒化膜を形成する窒化工程と、真空度25Torr未満のN2O雰囲気中において前記酸窒化膜に熱処理を施すことにより、前記酸窒化膜中に含まれる水素の離脱処理を行う脱水素工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (8件)：
H01L 21/318 ,  H01L 21/31 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (5件)：
H01L 21/318 C ,  H01L 21/31 E ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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