GaN系の半導体素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小西富雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-287485
公開番号（公開出願番号）：特開平11-195814
出願日： 1998年10月09日
公開日（公表日）： 1999年07月21日
要約：

【要約】【目的】 Si基板などの半導体基板上に形成されたGaN系の半導体層にクラックが入らないようにする。【構成】半導体基板のc面とGaN系の半導体層との間に酸化Al層(若しくは酸化Al層/Al層)及びTi層を設ける。

請求項（抜粋）：

c面を主面とする半導体基板層と、金属酸化層と、Ti層と、GaN系の半導体層と、が順次積層されている半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 33/00 , H01L 21/203 , H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 33/00 C , H01L 21/203 M , H01L 21/205

引用特許：

出願人引用 (3件)

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