特許
J-GLOBAL ID：200903094043017640

半導体発光素子及びその製造方法

発明者：
西尾 譲司

西尾 譲司 について

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藤本 英俊

藤本 英俊 について

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板谷 和彦

板谷 和彦 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-051141
公開番号（公開出願番号）：特開平9-223819
出願日： 1996年03月08日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
要約：
【要約】【課題】 窒化ガリウム系の半導体積層構造に残っている応力を低減し、微小なクラックや転位の束状の欠陥の発生を抑え、半導体素子作成過程での特性劣化を防ぐことができ、発光効率の向上、動作電圧の低減化及び長寿命化をはかり得る。【解決手段】 SIMOX基板51上に最下層をAlGaNバッファ層53とした窒化ガリウム系の積層構造部53〜58を有する半導体発光素子において、基板51と積層構造部53〜58との間にSiC薄膜層52を設けると共に、SiC薄膜層52の厚さAを、SiC薄膜層52に隣接するバッファ層53の厚さBの2倍以上とし、かつ積層構造部53〜58の厚さC以下とした。また、少なくとも最表面が概ね(111)の面方位を持つシリコンである基板上のSiC薄膜層中にゲルマニウム、チタン、スズより選ばれる少なくとも1種類を含むこととした。またSIMOX基板の代わりに窒素をイオン注入したシリコン基板を用いた。
請求項（抜粋）：
基板上に最下層を窒化ガリウム系のバッファ層とした窒化ガリウム系の積層構造部を有する半導体発光素子において、前記基板と積層構造部との間に炭化珪素を主成分とする薄膜層を設けると共に、該薄膜層と前記基板との合計の厚さを、該薄膜層に隣接する前記バッファ層の厚さの2倍以上にし、かつ前記積層構造部の厚さ以下にしたことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/20
FI (2件)：
H01L 33/00 C ,  H01L 21/20
引用特許：
審査官引用 (4件)
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