特許
J-GLOBAL ID：200903046909638777

半導体装置およびその製造方法

発明者：
大見 忠弘

大見 忠弘 について

, 
島田 浩行

島田 浩行 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について

, 
大見 忠弘

大見 忠弘 について


代理人 (1件)： 井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-112221
公開番号（公開出願番号）：特開2001-298192
出願日： 2000年04月13日
公開日（公表日）： 2001年10月26日
要約：
【要約】【課題】 高い電流駆動能力を備え、かつ歩留まりが高い半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体装置1000は、NMOSFET100Aと、PMOSFET100Bとを有する。各MOSFETは、SOI基板1のシリコン層1aに形成された、ソース領域およびドレイン領域を構成する第1および第2の不純物拡散層8a,8bと、第1および第2の不純物拡散層8a,8bの間に形成されたチャネル領域7と、少なくともチャネル領域7上に形成されたゲート絶縁層2と、ゲート絶縁層2上に形成されたゲート電極3と、を有する。ゲート電極3は、少なくともゲート絶縁層2に接する領域に窒化タンタル層4を有する。
請求項（抜粋）：
半導体層に形成された、ソース領域およびドレイン領域を構成する第1および第2の不純物拡散層と、前記第1および第2の不純物拡散層の間に形成されたチャネル領域と、少なくとも前記チャネル領域上に形成されたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に形成されたゲート電極と、を含み、前記ゲート電極は、少なくとも前記ゲート絶縁層に接する領域に窒化タンタル層を有する、半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 29/43 ,  H01L 29/78
FI (7件)：
H01L 27/08 331 E ,  H01L 29/78 617 L ,  H01L 27/08 321 D ,  H01L 29/46 R ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 613 A ,  H01L 29/78 617 M
Fターム (78件)：
4M104AA01 ,  4M104AA09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB25 ,  4M104BB32 ,  4M104BB36 ,  4M104BB37 ,  4M104BB38 ,  4M104CC05 ,  4M104DD04 ,  4M104DD26 ,  4M104DD37 ,  4M104DD41 ,  4M104DD64 ,  4M104DD65 ,  4M104DD78 ,  4M104DD84 ,  4M104EE09 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104HH16 ,  5F040DA21 ,  5F040DB03 ,  5F040DC01 ,  5F040EC02 ,  5F040EC04 ,  5F040EH02 ,  5F040EK05 ,  5F040FA05 ,  5F040FC11 ,  5F048AA08 ,  5F048AC04 ,  5F048BA16 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB13 ,  5F048BB14 ,  5F048DA25 ,  5F110AA03 ,  5F110AA07 ,  5F110AA08 ,  5F110AA26 ,  5F110AA30 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD21 ,  5F110EE01 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE08 ,  5F110EE11 ,  5F110EE15 ,  5F110EE32 ,  5F110EE44 ,  5F110EE50 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG06 ,  5F110GG12 ,  5F110GG17 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK05 ,  5F110HK40 ,  5F110HM14 ,  5F110NN62 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ30
引用特許：
審査官引用 (3件)

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