特許
J-GLOBAL ID：200903046917982304

半導体装置の製造方法

発明者：
竹内 有一

竹内 有一 について

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丸汎 ラジェシュ クマ-ル

丸汎 ラジェシュ クマ-ル について

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松波 弘之

松波 弘之 について

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木本 恒暢

木本 恒暢 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (3件)： 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-193460
公開番号（公開出願番号）：特開2005-328014
出願日： 2004年06月30日
公開日（公表日）： 2005年11月24日
要約：
【課題】 炭化珪素を用いてトレンチ形の半導体素子を形成する場合において、トレンチ内壁の結晶欠陥や形状の改善を図る。【解決手段】 ドライエッチングによって炭化珪素(0001)Si面の基板20にアスペクト比2以上、かつ、トレンチ傾斜角80度以上のトレンチ6を形成したのち、ドライエッチング時におけるトレンチ内面のダメージ領域を1600°C以上の減圧水素雰囲気でエッチング除去する。これにより、高温水素の特性から短時間でダメージ領域除去が可能となる。そして、ダメージが除去されたトレンチ内には、表面凹凸、変質層が残っていないため、変質層から生じる準位が存在しないようにできる。また、表面凹凸も極めて小さくすることができる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
炭化珪素からなる(0001)Si面の半導体基板(20、45)の上面にトレンチエッチング用マスク(21、60)を形成するトレンチマスク形成工程と、 前記トレンチエッチング用マスク(21、60)を用いたエッチングを行って、前記半導体基板(20、45)にアスペクト比2以上でかつ、トレンチ傾斜角80度以上のトレンチ(6、47)を形成するトレンチ形成工程と、 前記半導体基板(21、60)に形成された前記トレンチ(6、47)の内面のトレンチエッチングダメージ領域を1600°C以上の減圧の水素雰囲気でエッチング除去するダメージ除去工程と、を有することを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (7件)：
H01L21/302 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L29/78 ,  H01L29/80 ,  H01L29/808
FI (11件)：
H01L21/302 201A ,  H01L21/205 ,  H01L29/78 652D ,  H01L29/78 652E ,  H01L29/78 652S ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 658G ,  H01L29/78 658E ,  H01L29/80 C ,  H01L29/80 V
Fターム (37件)：
5F004AA14 ,  5F004BA19 ,  5F004BB26 ,  5F004CA04 ,  5F004DA24 ,  5F004DB00 ,  5F004DB12 ,  5F004EA34 ,  5F004EB02 ,  5F004EB05 ,  5F004EB08 ,  5F004FA07 ,  5F045AA03 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC13 ,  5F045AC16 ,  5F045AD18 ,  5F045AE25 ,  5F045AF02 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045CA05 ,  5F045EE13 ,  5F102FA00 ,  5F102GB02 ,  5F102GB04 ,  5F102GC08 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ02 ,  5F102GL02 ,  5F102GR01 ,  5F102GR06 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15 ,  5F102HC16 ,  5F102HC21
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 特許3424667号公報
  • 電極装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-013823   出願人：日本碍子株式会社
審査官引用 (3件)
引用文献：
審査官引用 (1件)

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