特許
J-GLOBAL ID：200903046922604830
強誘電体薄膜の製造方法、強誘電体キャパシタ、強誘電体メモリセルおよび強誘電体メモリの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-218419
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127266
出願日： 2000年07月19日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 非c軸配向の層状構造強誘電体薄膜の製造方法を提供すること。【解決手段】 少なくとも表面が球状結晶構造を有する導電層12の表面上に、ランダム配向の層状構造を有する強誘電体薄膜13を形成する工程を包含する、強誘電体薄膜の製造方法である。強誘電体薄膜はMn、La、Ce、Dyから少くとも一つの元素を少量含有する有機金属化合物を含む前駆体溶液を表面に付与して、700°C以下で焼成する事により形成され、この薄膜を表面が球状結晶構造を有する下部電極の上に形成する事により強誘電体キャパシタ又は強誘電体メモリを形成する。
請求項（抜粋）：
少なくとも表面が球状結晶構造を有する導電層の前記表面上に、ランダム配向の層状構造を有する強誘電体薄膜を形成する工程を包含する、強誘電体薄膜の製造方法。
Fターム (11件)：
5F083AD21
, 5F083AD62
, 5F083JA17
, 5F083JA35
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA43
, 5F083PR22
, 5F083PR23
, 5F083PR33
