特許
J-GLOBAL ID：200903046945266002
半導体レーザ素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
亀谷 美明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-215747
公開番号（公開出願番号）：特開2000-049412
出願日： 1998年07月30日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：
【要約】【課題】 広い波長範囲で連続チューニングの可能な半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 半導体レーザ素子100は,均一な格子周期を持つ第1ブラッグ回折格子150aが形成された第1受動導波路110aと,不均一な格子周期を持つ第2ブラッグ回折格子150cが形成された第2受動導波路110cと,第1受動導波路110aと第2受動導波路110cとを接続する活性導波路110bにを備えている。ここで,第2ブラッグ回折格子150cの格子周期は,活性導波路110bから離れるに連れて長くなっている。したがって,第2受動導波路110cでの光P1の反射位置が波長依存性を示し,モード飛びを起こさずに波長チューニングが可能となる。結果として,連続チューニング可能な波長範囲が拡大する。
請求項（抜粋）：
実効的な格子周期が実質的に均一な第1のブラッグ回折格子を有する,第1の反射導波路と;実効的な格子周期が不均一な第2のブラッグ回折格子を有する,第2の反射導波路と;前記第2の反射導波路と前記第1の反射導波路とを相互に接続する活性導波路とを;備えることを特徴とする,半導体レーザ素子。
Fターム (6件)：
5F073AA51
, 5F073AA61
, 5F073AA65
, 5F073BA02
, 5F073CA12
, 5F073EA04
