特許
J-GLOBAL ID：200903046946413866
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-014249
公開番号（公開出願番号）：特開平10-275481
出願日： 1998年01月27日
公開日（公表日）： 1998年10月13日
要約：
【要約】【課題】チャネルの充電電圧が低い場合、“1”書き込みするメモリセルに誤書き込みが生じる。【解決手段】メモリセルアレイ1A、1Bのソース線にはソース線バイアス回路9が接続されている。このソース線バイアス回路9は、データの書き込み時に電源電圧より高く消去電圧より低い電圧をソース線に供給することにより、メモリセルのチャネルの電圧を電源電圧より高く予備充電した後、制御ゲートとの容量結合により昇圧させる。このため、“1”書き込みするメモリセルの誤書き込みを防止できる。
請求項（抜粋）：
少なくとも1つの不揮発性メモリセルを含むメモリセル部と、前記メモリセル部の一端側に書き込み非選択電位を供給し、この電位を前記メモリセル部に供給した後、前記メモリセル部の他端側から書き込みデータを供給し、前記メモリセル部の選択された不揮発性メモリセルに所望の書き込み状態を設定する制御回路とを具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
引用特許：
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