特許
J-GLOBAL ID：200903047008208656
半導体素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
曾我 道照
, 曾我 道治
, 古川 秀利
, 鈴木 憲七
, 梶並 順
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-374954
公開番号（公開出願番号）：特開2004-207492
出願日： 2002年12月25日
公開日（公表日）： 2004年07月22日
要約：
【課題】高電界部となるデプレッション領域の形成において高濃度のイオン注入を避け、高性能な素子特性を有する半導体素子を実現する。【解決手段】第1導電型の基板1上に形成された第2導電型のボディ領域3内に注入マスクを用いたイオン注入により第1導電型のソース領域4を形成する第1の工程と、前記注入マスクを用いて第2導電型のボディ領域3内にアクセプタ不純物を注入することによりドーピングされた領域13を形成する第2の工程とを含む。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1導電型の基板上に形成された第2導電型のボディ領域内に注入マスクを用いたイオン注入により第1導電型のソース領域を形成する第1の工程と、
前記第1の工程で用いた前記注入マスクを用いて前記第2導電型のボディ領域内にアクセプタ不純物を注入することによりドーピングされた領域を形成する第2の工程と
を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
IPC (4件)：
H01L29/78
, H01L21/265
, H01L21/266
, H01L21/336
H01L29/78 652D
, H01L29/78 652C
, H01L29/78 652J
, H01L29/78 652T
, H01L29/78 658A
, H01L21/265 F
, H01L21/265 V
, H01L21/265 M
