特許
J-GLOBAL ID：200903047020222664
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
政木 良文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-006738
公開番号（公開出願番号）：特開2007-188603
出願日： 2006年01月13日
公開日（公表日）： 2007年07月26日
要約：
【課題】 電圧印加によって抵抗特性の変化する可変抵抗素子に対する安定した高速スイッチング動作可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 可変抵抗素子への電圧印加を実行するための負荷回路が可変抵抗素子と電気的に直列接続可能に設けられ、負荷回路の負荷抵抗特性が2つの異なる特性間で切り換え可能に構成され、可変抵抗素子の抵抗特性が、低抵抗状態から高抵抗状態に遷移する場合と高抵抗状態から低抵抗状態に遷移する場合で負荷回路の2つの負荷抵抗特性が選択的に切り換り、可変抵抗素子と負荷回路の直列回路に印加された書き換え用電圧によって、可変抵抗素子に2つの抵抗特性の一方から他方へ遷移するのに必要な電圧が印加され、可変抵抗素子の抵抗特性が一方から他方に遷移した後は、可変抵抗素子に印加されている電圧が、選択されている負荷抵抗特性によって、他方の抵抗特性から一方の抵抗特性へ復帰不能な電圧となる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
2端子構造の可変抵抗素子であって、一方端子を基準とする他方端子への電圧印加を少なくとも正負何れか一方の極性で行った場合に、2端子間の電流電圧特性で規定される抵抗特性が、低抵抗状態と高抵抗状態の安定的に取り得る2つの抵抗特性間を遷移可能であり、前記抵抗特性が低抵抗状態から高抵抗状態に遷移するのに必要な印加電圧の絶対値の下限値である第1閾値電圧と、前記抵抗特性が高抵抗状態から低抵抗状態に遷移するのに必要な印加電圧の絶対値の下限値である第2閾値電圧が異なる可変抵抗素子を備えてなる不揮発性半導体記憶装置であって、
前記可変抵抗素子の記憶状態が、前記抵抗特性が低抵抗状態と高抵抗状態の何れであるかによって定まり、前記可変抵抗素子の両端子間への電圧印加によって、前記抵抗特性が低抵抗状態と高抵抗状態間で遷移することで書き換え可能であり、
前記可変抵抗素子の記憶状態の書き換え時における前記可変抵抗素子の両端子間への電圧印加を実行するための負荷回路が、書き換え対象の前記可変抵抗素子と電気的に直列接続可能に設けられ、
前記負荷回路の電流電圧特性で規定される負荷抵抗特性が、2つの異なる負荷抵抗特性間で切り換え可能に構成され、
書き換え対象の前記可変抵抗素子の前記抵抗特性が、低抵抗状態から高抵抗状態に遷移する場合と高抵抗状態から低抵抗状態に遷移する場合で、前記負荷回路の前記2つの負荷抵抗特性が選択的に切り換り、
書き換え対象の前記可変抵抗素子と前記負荷回路の直列回路の両端に印加された所定の書き換え用電圧によって、前記可変抵抗素子の両端子間に前記2つの抵抗特性の一方から他方へ遷移するのに必要な電圧が印加され、前記可変抵抗素子の前記抵抗特性が前記一方の抵抗特性から前記他方の抵抗特性に遷移した後は、前記可変抵抗素子の両端子間に印加されている電圧が、選択されている前記負荷抵抗特性によって、前記他方の抵抗特性から前記一方の抵抗特性へ復帰不能な電圧となることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C13/00 A
, H01L27/10 451
5F083FZ10
, 5F083GA27
, 5F083JA38
, 5F083JA60
