光電気集積回路およびヘテロ接合ホトトランジスタ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：光石俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-019460
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223685
出願日： 1999年01月28日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：

【要約】【課題】受光感度と動作速度との間のトレードオフを解消できる光電気集積回路およびヘテロ接合ホトトランジスタを提供する。【解決手段】基板101上に第一〜四コレクタ層102〜105、ベース層106、エミッタ層107を積層されて、コレクタ電極109、ベース電極110、エミッタ電極111を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタと、基板101上に上記コレクタ層102〜105、ベース層106と共通する第一〜五半導体層102a〜106aを有すると共に、上記電極109,110と同時に形成されたn側電極109a、p側電極110aを有するフォトダイオード(PD)とを備え、PDに入射した信号光1を電気信号に変換処理して出力する光電気集積回路において、基板101のPD側の側端面に基板101の厚さ方向内側ほど窪んだ傾斜状となる逆メサ112を設けた。

請求項（抜粋）：

基板上にサブコレクタ層、コレクタ層、ベース層およびエミッタ層を積層されて、コレクタ電極、ベース電極およびエミッタ電極を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタと、当該基板上に前記ヘテロ接合バイポーラトランジスタの前記サブコレクタ層、前記コレクタ層および前記ベース層と共通する各半導体層を有して、前記ヘテロ接合バイポーラトランジスタの前記コレクタ電極および前記ベース電極と同時に形成された各電極を有するフォトダイオードとを備え、当該フォトダイオードに入射した信号光を電気信号に変換処理して出力する光電気集積回路において、信号光を入射させる入射窓を前記基板の前記フォトダイオード側の側端面に当該基板の厚さ方向内側ほど窪んだ傾斜状となるように設けることにより、当該入射窓から入射する信号光を屈折させて、前記フォトダイオードの前記半導体層内に積層方向に対して斜めに通過させるようにしたことを特徴とする光電気集積回路。

IPC (7件)：

H01L 27/14 , H01L 21/8222 , H01L 27/06 , H01L 29/205 , H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01L 31/10

FI (5件)：

H01L 27/14 Z , H01L 27/06 101 D , H01L 29/205 , H01L 29/72 , H01L 31/10 A

Fターム (38件)：

4M118AA01 , 4M118AB05 , 4M118BA02 , 4M118CA09 , 4M118CA15 , 4M118CA40 , 4M118FC09 , 4M118FC15 , 4M118FC16 , 5F003BA21 , 5F003BA27 , 5F003BB01 , 5F003BC04 , 5F003BF06 , 5F003BG06 , 5F003BH08 , 5F003BH99 , 5F003BJ12 , 5F003BM03 , 5F049MA03 , 5F049MA13 , 5F049MB07 , 5F049NA01 , 5F049NA03 , 5F049NB01 , 5F049PA14 , 5F049RA06 , 5F049SE05 , 5F049SE12 , 5F049SE16 , 5F049SE20 , 5F049SS04 , 5F049SS09 , 5F049WA01 , 5F082AA06 , 5F082BC20 , 5F082CA02 , 5F082DA09

引用特許：

審査官引用 (5件)

化合物半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-338059 出願人：古河電気工業株式会社
半導体受光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-052760 出願人：日本電信電話株式会社
pin型受光素子、その製造方法及び光電子集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-025319 出願人：住友電気工業株式会社

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