基板処理装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小笠原史朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-358323
公開番号（公開出願番号）：特開平11-191549
出願日： 1997年12月25日
公開日（公表日）： 1999年07月13日
要約：

【要約】【課題】基板に供給される処理ガス内に含まれる処理蒸気の濃度を正確に制御し、当該処理蒸気によって基板に対して所望の処理を施すことができる基板処理装置を提供することである。【解決手段】中央演算処理部4は、第1の配管61及び第3の配管63の流量QMFC1及びQMFC2を設定し、基板Wに対して吐出される処理ガス内のIPA蒸気の濃度を設定する。以降、少なくともQMFC1は、一定濃度CIPA が得られるように、濃度検出センサ101の検出結果に基づいてフィードバック制御される。蒸発槽1内では、液状IPAが一定温度T0 で加熱されて、IPA蒸気が生成される。さらに、蒸発槽1内には、一定温度T0 で加熱された窒素ガスが導入され、処理ガスが生成され、第2の配管62に送出される。この処理ガスは、途中で第3の配管63により導かれてくる窒素ガスにより希釈された後、一定温度Tgasで加熱されて基板Wに対して吐出される。

請求項（抜粋）：

所定の処理蒸気とキャリアガスとが混合されて生成される処理ガスを、内部に収容された基板に供給し、当該処理蒸気に基づく所定の基板処理を当該基板に対して実行する基板処理装置であって、外部から供給されるキャリアガスを導く第1の配管と、予め貯留している処理液を加熱して前記処理蒸気を内部で生成し、前記第1の配管からキャリアガスが供給された場合には、内部の処理蒸気とキャリアガスとを混合して前記処理ガスを生成し、送出する蒸発槽と、前記蒸発槽から送出される処理ガスを導く第2の配管と、前記第2の配管により導かれる処理ガスを前記基板に吐出して供給する吐出部と、前記第2の配管に介設されており、前記蒸発槽から送出された処理ガスの温度又は当該処理ガス内に含まれる処理蒸気の濃度を検出する第1の検出部と、前記第1の検出部による検出結果に基づいて、前記蒸発槽内で前記処理液が加熱される温度、前記第1の配管によって導かれるキャリアガスの温度、及び当該第1の配管によって導かれるキャリアガスの流量の内、少なくとも一つを制御する制御部とを備える、基板処理装置。

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-241832
基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-151541 出願人：大日本スクリーン製造株式会社
半導体基板の表面処理装置及びその制御方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-130486 出願人：三菱電機株式会社

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