クランプリング

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-183386
公開番号（公開出願番号）：特開平10-032237
出願日： 1996年07月12日
公開日（公表日）： 1998年02月03日
要約：

【要約】【課題】長期に亘って堆積物のはがれが生じないクランプリングを提供することを課題とする。【解決手段】半導体基板に所定の処理を施す処理装置において該基板を載置台に保持するためのクランプリングは、多孔質のAl2 O3 焼結体で形成され、その結晶粒径が平均で20μm以上である。

請求項（抜粋）：

半導体基板に所定の処理を施す処理装置において該基板を載置台に保持するためのクランプリングであって、多孔質のAl2 O3 焼結体で形成され、その結晶粒径が平均で20μm以上であることを特徴とするクランプリング。

IPC (3件)：

H01L 21/68 , C23F 4/00 , H01L 21/3065

FI (3件)：

H01L 21/68 N , C23F 4/00 A , H01L 21/302 B

引用特許：

審査官引用 (7件)

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