半導体基板の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：梅田勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-018016
公開番号（公開出願番号）：特開平10-214844
出願日： 1997年01月31日
公開日（公表日）： 1998年08月11日
要約：

【要約】【課題】 SOIデバイスは最近ではSOI層の深さ全域を利用するデバイスが主流になりつつあり、SOI層内にゲッタリングサイトを形成することは不可能になっている。【解決手段】 SOI基板の分離SOI層8にアルゴンをイオン注入し、アモルファス状態にした。次に、結晶性回復のためのアニールを行うことにより、イオン注入での1次欠陥である結晶欠陥9は回復し、2次欠陥である転位欠陥10に変換され、汚染不純物は転位欠陥10にゲッタリングされる。次に、LOCOS酸化膜11を形成し、分離SOI層8をすべて酸化した。

請求項（抜粋）：

絶縁層上にシリコン層を有するSOI構造の半導体基板上に素子分離領域が開口したマスクを形成し、該マスクを用いて、所定の不純物をイオン注入することによって、素子分離領域となるシリコン層に結晶欠陥を導入する工程と、ロコス酸化法により上記素子分離領域にロコス酸化膜を形成することにより、該ロコス酸化膜が形成される間に、上記シリコン層内に含まれる汚染不純物を上記結晶欠陥にゲッタリングさせ、その後該汚染不純物を上記ロコス酸化膜に取り込ませる又は/及び該ロコス酸化膜と埋め込み酸化膜との界面に偏析させる工程とを有することを特徴とする、半導体基板の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/322 , H01L 21/762 , H01L 21/316 , H01L 27/12

FI (4件)：

H01L 21/322 J , H01L 27/12 Z , H01L 21/76 D , H01L 21/94 A

引用特許：

審査官引用 (8件)

Si半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-239260 出願人：ゴールドスターエレグトロンカンパニーリミテッド
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-249553 出願人：三菱電機株式会社
特開平4-340720

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