特許

J-GLOBAL ID：200903047146746740

重合体、レジスト組成物及びパターンが形成された基板の製造方法

発明者： 百瀬 陽
出願人/特許権者： 三菱レイヨン株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-318381
公開番号（公開出願番号）：特開2008-133312
出願日： 2006年11月27日
公開日（公表日）： 2008年06月12日
要約：

【課題】DUVエキシマレーザーを用いるリソグラフィー等の液浸露光用のレジスト組成物として用いた場合に、高感度、高解像度であり、光線透過率が高く、液浸露光時にレジスト組成物からのクエンチャーの溶出が少ない重合体、レジスト組成物及びパターンが形成された基板の製造方法を提供する。【解決手段】特定のアミン骨格を有する構成単位(M)を含有するレジスト用の重合体、レジスト組成物、及びレジスト組成物を基板上に塗布してレジスト膜を形成する工程、レジスト膜と露光装置の最終レンズとの間に液浸液を介在させた状態で250nm以下の波長の光で露光する工程及び現像液で現像する工程を有するパターンが形成された基板の製造方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下式(1)で表されるアミン骨格を有する構成単位(M)を含有するレジスト用の重合体。

IPC (3件)：

C08F 20/34 ,  H01L 21/027 ,  G03F 7/039

FI (3件)：

C08F20/34 ,  H01L21/30 502R ,  G03F7/039 601

Fターム (43件)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100AL08T ,  4J100BA02P ,  4J100BA03P ,  4J100BA03S ,  4J100BA03T ,  4J100BA11Q ,  4J100BA15P ,  4J100BA16T ,  4J100BA31P ,  4J100BA40S ,  4J100BC03P ,  4J100BC04P ,  4J100BC04S ,  4J100BC07R ,  4J100BC07S ,  4J100BC09R ,  4J100BC09S ,  4J100BC09T ,  4J100BC49T ,  4J100BC53Q ,  4J100BC65P ,  4J100CA03 ,  4J100CA06 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100DA62 ,  4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (4件)

• レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-130131   出願人：富士通株式会社
• 化学増幅型ポジ型レジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-012406   出願人：住友化学工業株式会社
• レジスト組成物の評価方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-151253   出願人：東京応化工業株式会社
• 新規な化合物、高分子化合物、レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-184673   出願人：東京応化工業株式会社