特許
J-GLOBAL ID:200903047277088640

感光性半導体ナノ結晶、半導体ナノ結晶パターン形成用感光性組成物及びこれらを用いたパターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 磯野 道造
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-305592
公開番号(公開出願番号):特開2005-128539
出願日: 2004年10月20日
公開日(公表日): 2005年05月19日
要約:
【課題】 成膜または鋳型の使用など厄介な工程なしで簡単に半導体ナノ結晶のパターンを得ることが可能な、感光性半導体ナノ結晶及び半導体ナノ結晶の感光性組成物を提供するとともに、これらを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】感光性作用基を有する化合物で表面配位された半導体ナノ結晶、半導体ナノ結晶の感光性組成物、及び前記感光性半導体ナノ結晶または前記組成物からフィルムを形成し、これを露光及び現像して半導体ナノ結晶のパターンを得る。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
感光性作用基を有する化合物で表面配位された結晶体からなる半導体ナノ結晶。
IPC (3件):
G03F7/004 ,  G03F7/027 ,  H01L21/027
FI (3件):
G03F7/004 501 ,  G03F7/027 ,  H01L21/30 502R
Fターム (9件):
2H025AB17 ,  2H025AB20 ,  2H025AC01 ,  2H025AD01 ,  2H025BC32 ,  2H025BC42 ,  2H025CA01 ,  2H025FA03 ,  2H025FA15
引用特許:
出願人引用 (4件)
  • 米国特許第5,559,057号明細書
  • 米国特許第6,139,626号明細書
  • 米国特許第5,751,018号明細書
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審査官引用 (6件)
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