特許
J-GLOBAL ID：200903047317741253

プラズマ表面処理方法及び装置

発明者：
池畑 隆

池畑 隆 について


出願人/特許権者：
独立行政法人科学技術振興機構

独立行政法人科学技術振興機構 について


代理人 (1件)： 山口 隆生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-082646
公開番号（公開出願番号）：特開2005-307349
出願日： 2005年03月22日
公開日（公表日）： 2005年11月04日
要約：
【課題】 プラズマイオン注入法と成膜を複合化し、被処理物の表面物性を物理的ないし化学的に改質し、成膜するプラズマ表面処理法及び装置を実現する。【解決手段】 接地された真空容器2の内部に、別に設けたプラズマ発生用電源7及びプラズマ発生用アンテナ又は電極6によってプラズマ3を発生させる。導電性の支持体10に支持され、直接容器の底部に置かれた被処理物1がこのプラズマ3の中に浸される。被処理物1及び支持体等10は接地電位にある。真空容器壁の一部が導電性包囲体12で覆われる。真空容器2内にプラズマ3に正バイアス電圧を印加するための電極(陽極)11を真空フィードスルー及び支持体8を介して挿入する。陽極11は真空容器2外で正の電圧パルスを発生する高電圧パルス発生器9と直流バイアス電源13に接続される。イオン注入により被処理物表面に混合層を形成し、その上に成膜させる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
接地電位に保たれた被処理物(基材)の周囲に正電位にバイアスされたプラズマを発生させ、前記被処理物とプラズマの間にイオンシースを形成させ、プラズマ内のイオンをイオンシース内の電界によって加速し、前記被処理物の表面に堆積、ないしは前記被処理物の内部にイオン注入させ、被処理物の表面物性を物理的ないし化学的に改質することを特徴とするプラズマ表面処理法にあって、特にプラズマをバイアスするために外部から挿入される陽極に、プラズマイオン注入用の正のパルス電圧と、イオン支援成膜用の正の直流電圧を同時に印加して、被処理物との密着性が高く、緻密で欠陥の少ない膜を形成することを特徴とするプラズマ表面処理方法。
IPC (4件)：
C23C14/48 ,  C23C14/22 ,  C23C14/32 ,  C23C14/54
FI (5件)：
C23C14/48 A ,  C23C14/48 D ,  C23C14/22 A ,  C23C14/32 C ,  C23C14/54 B
Fターム (11件)：
4K029BA55 ,  4K029BA58 ,  4K029BA60 ,  4K029BC00 ,  4K029CA03 ,  4K029CA07 ,  4K029CA09 ,  4K029CA10 ,  4K029CA13 ,  4K029DE00 ,  4K029EA06
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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