特許
J-GLOBAL ID：200903047327925034

半導体レーザおよびその製造方法

発明者：
牧田 幸治

牧田 幸治 について

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足立 秀人

足立 秀人 について

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河田 敏也

河田 敏也 について

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浅香 浩

浅香 浩 について

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高森 晃

高森 晃 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-233696
公開番号（公開出願番号）：特開2003-046193
出願日： 2001年08月01日
公開日（公表日）： 2003年02月14日
要約：
【要約】【課題】 結晶成長1回で安価に作製できるリッジ型半導体レーザにおいて、コンタクト抵抗を低減し、その結果、素子抵抗を低減できる構造、および製造方法を提供する。【解決手段】 複数の化合物半導体層の積層体と、上側電極と、下側電極とを備えた屈折率導波型リッジ構造の半導体レーザ。リッジ部の最上層が高濃度ドーピングされた化合物半導体層からなるコンタクト層107であり、コンタクト層の下部に位置してコンタクト層と接する第二半導体層106は、その上面の幅がコンタクト層の底面の幅より狭い。リッジ部におけるコンタクト層の表面と、その両側面および底面の少なくともいずれかに、上側電極113が直接接しており、それ以外のリッジ部表面は絶縁膜111で覆われている。
請求項（抜粋）：
複数の化合物半導体層の積層体と、上側電極と、下側電極とを備えた屈折率導波型リッジ構造の半導体レーザにおいて、リッジ部の最上層が高濃度ドーピングされた化合物半導体層からなるコンタクト層であり、前記コンタクト層の下部に位置して前記コンタクト層と接する第二半導体層は、その上面の幅が前記コンタクト層の底面の幅より狭く、前記リッジ部における前記コンタクト層の表面と、その両側面および底面の少なくともいずれかに、前記上側電極が直接接しており、それ以外の前記リッジ部表面は絶縁膜で覆われていることを特徴とする半導体レーザ。
Fターム (11件)：
5F073AA13 ,  5F073AA53 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073BA02 ,  5F073BA06 ,  5F073CA05 ,  5F073CB02 ,  5F073DA22 ,  5F073DA33 ,  5F073FA15
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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