特許

J-GLOBAL ID：200903047348265867

SiC半導体装置とその製造方法

発明者： 杉本 博司 ,  大塚 健一 ,  今泉 昌之 ,  高見 哲也 ,  木ノ内 伸一 ,  樽井 陽一郎 ,  谷村 純二
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-162922
公開番号（公開出願番号）：特開平11-016840
出願日： 1997年06月19日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：

【要約】【課題】 十分な不純物濃度と厚みを有し、欠陥等の損傷の少ない不純物領域を有するSiC半導体基板を提供する。【解決手段】 イオン注入法や拡散法に代えて、選択成長法を用いてSiC半導体基板中に不純物領域を形成する。

請求項（抜粋）：

SiC基板と、該SiC基板上に形成された第1のSiC層とを少なくとも備えたSiC半導体装置において、上記第1のSiC層の一部に選択成長により第2のSiC領域を形成したことを特徴とするSiC半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/78 301 B

引用特許：

出願人引用 (4件)

• ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-279073   出願人：ローム株式会社
• 特開平4-025184
  
• 化合物半導体層の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-316481   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-011213   出願人：三菱マテリアル株式会社

審査官引用 (1件)

• ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-279073   出願人：ローム株式会社