特許
J-GLOBAL ID：200903047377470925
露光装置にウェ-ハを整列するための整列マ-クを含む半導体ウェ-ハ、この整列マ-クから整列信号を発生する整列システム及び整列マ-クからウェ-ハの整列状態を決定する方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-375593
公開番号（公開出願番号）：特開2000-200751
出願日： 1999年12月28日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
要約：
【要約】【課題】 整列の正確図を向上させうる整列マーク、これを使用する整列システム及びこれを用いた整列方法を提供する。【解決手段】 本発明に係る整列マークは、半導体基板上の化学機械的ポリシング工程が適用される層の下部層内に形成され、半導体素子を製造するための整列露光工程時整列信号波形を形成する整列マークであって、化学機械的ポリシング工程が適用される層にディッシングが発生しない程度の密度で複数個のメサまたはトレンチパターンが不連続的に配列されて形成される。これにより、整列マーク上に形成された層に対して高集積化された半導体素子の製造工程に広く用いられる化学機械的ポリシング工程を適用しても整列マークが損傷されることが防止される。従って正確な整列信号が得られる。
請求項（抜粋）：
半導体素子の製造工程時露光装置にウェーハを整列するために使用する整列マークを具備する半導体ウェーハにおいて、前記ウェーハは平坦化した層及び前記平坦化した層の下部に整列マーク層を具備し、前記整列マーク層は複数個のメサまたはトレンチパターンが不連続的に配列されて構成された整列マークを具備し、前記平坦化した層の平坦化した表面には如何なる凹溝も形成されていないし、前記ウェーハは前記整列マーク層上に化学機械的ポリシング工程が適用される層を形成し、前記化学機械的ポリシング工程が適用される層を化学機械的ポリシングして平坦化し、前記整列マーク層上に前記化学機械的ポリシング工程が適用される層を形成する前に、前記化学機械的ポリシング工程が適用される層を化学機械的ポリシングする時ディッシングが発生しないように選択された所定大きさの複数個のメサまたはトレンチパターンを所定間隔で不連続的に配列して、前記整列マーク層内に前記整列マークを形成することによって製造されたことを特徴とする整列マークを具備する半導体ウェーハ。
IPC (5件)：
H01L 21/027
, G03F 9/00
, H01L 21/02
, H01L 21/304 622
, H01L 21/68
H01L 21/30 522 Z
, G03F 9/00 H
, H01L 21/02 A
, H01L 21/304 622 X
, H01L 21/68 F
