特許

J-GLOBAL ID：200903047380670811

強誘電体メモリ材料

発明者： 宮澤 弘 ,  岩下 節也 ,  樋口 天光
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-019129
公開番号（公開出願番号）：特開2001-210794
出願日： 2000年01月27日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
要約：

【要約】【課題】高いキュリー温度を有することで100°Cの環境下での繰り返し記録特性に優れ、なおかつ半導体プロセスと整合性のとれる低い温度600°C台で成膜することができる強誘電体メモリを提供すること。【解決手段】強誘電体メモリにおける強誘電体層を構成する材料であって、遷移金属酸化物において、前記遷移金属酸化物を構成する遷移金属の原子状態における価電子帯のd状態のエネルギーレベルと、前記遷移金属酸化物を構成する酸素の2p状態のエネルギーレベルの差が0.33Ry以内である遷移金属を主成分とする。

請求項（抜粋）：

強誘電体メモリにおける強誘電体層を構成する遷移金属酸化物からなる材料であって、前記遷移金属酸化物を構成する遷移金属の原子状態における価電子帯のd状態のエネルギーレベルと、前記遷移金属酸化物を構成する酸素の2p状態のエネルギーレベルの差が0.33Ry以内である遷移金属を主成分とすることを特徴とする強誘電体メモリ材料。

IPC (4件)：

H01L 27/10 451 ,  C01G 49/00 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (3件)：

H01L 27/10 451 ,  C01G 49/00 A ,  H01L 27/10 651

Fターム (9件)：

4G002AA06 ,  4G002AA07 ,  4G002AA08 ,  4G002AA09 ,  4G002AA10 ,  5F083AD21 ,  5F083AD49 ,  5F083GA21 ,  5F083JA13

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 強誘電体薄膜およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-172020   出願人：ティーディーケイ株式会社
• 層状結晶構造酸化物およびそれを用いたメモリ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-076154   出願人：ソニー株式会社
• 強磁性強誘電体薄膜とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-090422   出願人：科学技術振興事業団