特許
J-GLOBAL ID:200903047399836630
同期式メモリ装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
小川 勝男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-290896
公開番号(公開出願番号):特開平8-147972
出願日: 1994年11月25日
公開日(公表日): 1996年06月07日
要約:
【要約】【目的】従来の同期式メモリ装置よりサイクル時間を短縮したメモリ装置を提供する。【構成】ビット線のセンスアンプに設けた出力ラッチにより、クロック入力から出力ラッチにデータをラッチするまでの時間が短縮した。複数存在するビット線のセンスアンプにラッチを設けるためには複数のラッチのデータをセレクタで選択する手続きが必要だが、センスアンプ選択信号のためのラッチを設けることで、正しく動作させた。
請求項(抜粋):
アドレスデータを入力するための入力バッファと、上記入力バッファに保持された上記アドレスデータをクロック信号によって、取り込み,出力する入力ラッチと、上記入力ラッチからのアドレスデータをデコードするデコーダと、上記デコーダのデコードに基づいて、所定の複数のメモリセルに保持されているデータをビット線を介して出力するメモリセルを複数有してなるメモリセルアレイと、出力された所定の複数のビット線からのデータの信号を増幅するセンスアンプと、上記センスアンプからのデータを上記クロック信号によって、取り込み,出力する出力ラッチと、上記出力ラッチに保持されている複数のデータから1つのデータを選択するセレクタと、上記セレクタによって選択されたデータを保持し、出力する出力バッファとを有することを特徴とする同期式メモリ装置。
IPC (2件):
G11C 11/407
, G11C 11/401
FI (2件):
G11C 11/34 354 C
, G11C 11/34 362 C
引用特許:
審査官引用 (6件)
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半導体記憶装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-051914
出願人:株式会社日立製作所
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特開平4-353698
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特開平2-235291
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特開平2-003175
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半導体メモリ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-123857
出願人:沖電気工業株式会社
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半導体記憶装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-208910
出願人:三菱電機株式会社
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