特許

J-GLOBAL ID：200903081704780830

炭化珪素単結晶の製造方法

発明者： 木藤 泰男 ,  恩田 正一 ,  北岡 英二
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 伊藤 洋二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-163087
公開番号（公開出願番号）：特開平11-012096
出願日： 1997年06月19日
公開日（公表日）： 1999年01月19日
要約：

【要約】【課題】 薬液や機械研磨によらずにシリコン基板を除去する。【解決手段】 まず、シリコンウェハ11上に炭化珪素単結晶層12を成長させる。そして、シリコンウェハ11と一体で炭化珪素単結晶層12と蓋材4bとを接着剤13で固定する。この後、蓋材4bを結晶成長装置に装着し、結晶成長装置内を珪素単結晶が溶融する温度にしてシリコンウェハ11を溶融、除去する。シリコンウェハ11を除去したあと、露出した炭化珪素単結晶層12の表面に炭化珪素単結晶16を成長させる。すなわち、熱処理によってシリコンウェハ11を除去する。

請求項（抜粋）：

珪素単結晶基板(11)上に炭化珪素単結晶層(12)を形成したのち、前記珪素単結晶基板(11)を除去し、前記炭化珪素単結晶層(12)を種結晶として炭化珪素単結晶(16)を形成する炭化珪素単結晶の製造方法において、前記珪素単結晶基板(11)の融点以上の温度にて、前記珪素単結晶基板(11)を溶融、除去する工程を備えたことを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/36 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

C30B 29/36 A ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭53-147700
  
• 炭化珪素単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-234090   出願人：株式会社デンソー
• 単結晶炭化ケイ素層の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-081651   出願人：ツェーエス・ハルプライター・ウント・ゾラールテクノロジー・ゲーエムベーハー
• 単結晶成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-277628   出願人：三洋電機株式会社