特許
J-GLOBAL ID：200903047428786663

半導体膜成長方法及び窒素原料精製装置及び半導体膜成長装置及び半導体レーザ及び光通信システム

発明者：
伊藤 彰浩

伊藤 彰浩 について

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佐藤 俊一

佐藤 俊一 について

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高橋 孝志

高橋 孝志 について

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上西 盛聖

上西 盛聖 について


出願人/特許権者：
株式会社リコー

株式会社リコー について


代理人 (1件)： 植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-253382
公開番号（公開出願番号）：特開2003-063896
出願日： 2001年08月23日
公開日（公表日）： 2003年03月05日
要約：
【要約】【課題】 不純物が少なく結晶品質の良い窒素(N)を含むIII-V族化合物半導体膜を作製することの可能な半導体膜成長方法及び窒素原料精製装置及び半導体膜成長装置及び半導体レーザ及び光通信システムを提供する。【解決手段】 精製装置5の精製室中に、金属Al又は金属Alを含む合金が配置されており、精製装置5では、精製室に供給された窒素原料(窒素化合物からなる窒素原料)を、金属Al又は金属Alを含む合金に接触させて精製し(不純物を除去し)、反応室1に供給する。
請求項（抜粋）：
窒素化合物からなる窒素原料を金属Alまたは金属Alを含む合金に接触させた後、反応室に輸送し、窒素(N)を含むIII-V族化合物半導体膜を成長させることを特徴とする半導体膜成長方法。
IPC (12件)：
C30B 29/38 ,  B01D 53/14 ,  B01D 53/18 ,  B01J 19/00 ,  C30B 25/14 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01S 5/183 ,  H01S 5/323 610 ,  H04B 10/02 ,  H04B 10/28
FI (10件)：
C30B 29/38 D ,  B01D 53/14 A ,  B01D 53/18 A ,  B01J 19/00 K ,  C30B 25/14 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/183 ,  H01S 5/323 610 ,  H01L 29/80 B ,  H04B 9/00 W
Fターム (57件)：
4D020AA08 ,  4D020AA10 ,  4D020BA06 ,  4D020BB01 ,  4D020BB02 ,  4D020CA05 ,  4D020CB01 ,  4G075AA24 ,  4G075BC04 ,  4G075CA51 ,  4G075CA54 ,  4G075CA57 ,  4G075DA02 ,  4G075FB02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077EG22 ,  4G077TH02 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB19 ,  5F045AC19 ,  5F045BB16 ,  5F045CA01 ,  5F045CA06 ,  5F045CA09 ,  5F045CA13 ,  5F045DA52 ,  5F045DA63 ,  5F073AA04 ,  5F073AA45 ,  5F073AA65 ,  5F073AA74 ,  5F073AB17 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073EA29 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102HC01 ,  5K002AA01 ,  5K002BA01 ,  5K002BA13 ,  5K002DA02 ,  5K002FA01
引用特許：
審査官引用 (6件)
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