特許

J-GLOBAL ID：200903047481649783

流動性チップ及びそれを使用する方法

発明者： アーヴィド・ニール・アーヴィドソン ,  テレンス・リー・ホーストマン ,  マイケル・ジョン・モルナー ,  クリス・ティム・シュミット ,  ロジャー・デイル・スペンサー・ジュニア
出願人/特許権者： ヘムロック・セミコンダクター・コーポレーション
代理人 (4件)： 曾我 道治 ,  古川 秀利 ,  鈴木 憲七 ,  梶並 順
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-128250
公開番号（公開出願番号）：特開2009-184922
出願日： 2009年05月27日
公開日（公表日）： 2009年08月20日
要約：

【課題】従来の粒状多結晶シリコンは、用途によっては、粒状物を再装填するのに用いられる工程に関わりなく、純度が低すぎる。【解決手段】本発明の流動性チップは、化学的気相成長法で製造されかつ0.03ppmaを超えないレベルのバルク不純物と15ppbaを超えないレベルの表面不純物とを有する多結晶シリコン片で構成される多結晶シリコン片群であって、しかも制御された粒度分布を有しかつ概して非球状モルフォロジィを有する多結晶シリコン片群から成る。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

化学的気相成長法で製造されかつ0.03ppmaを超えないレベルのバルク不純物と15ppbaを超えないレベルの表面不純物とを有する多結晶シリコン片で構成される多結晶シリコン片群であって、しかも制御された粒度分布を有しかつ概して非球状モルフォロジィを有する多結晶シリコン片群から成る流動性チップ。

IPC (4件)：

C30B 29/06 ,  C30B 15/02 ,  C01B 33/037 ,  C01B 33/02

FI (5件)：

C30B29/06 D ,  C30B15/02 ,  C30B29/06 502A ,  C01B33/037 ,  C01B33/02 E

Fターム (35件)：

4G072AA01 ,  4G072BB02 ,  4G072BB12 ,  4G072BB20 ,  4G072DD01 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072GG04 ,  4G072HH01 ,  4G072MM38 ,  4G072NN01 ,  4G072RR24 ,  4G072RR25 ,  4G072TT01 ,  4G072TT19 ,  4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077BA04 ,  4G077CF03 ,  4G077CF05 ,  4G077EB01 ,  4G077EB06 ,  4G077EC03 ,  4G077EC10 ,  4G077EG25 ,  4G077EG29 ,  4G077EH06 ,  4G077HA01 ,  4G077HA12 ,  4G077PB01 ,  4G077PB05 ,  4G077PB09 ,  4G077PB11 ,  4G077PB14 ,  4G077PK04

引用特許：

審査官引用 (8件)

• 多結晶シリコンの洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-033308   出願人：三菱マテリアルポリシリコン株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社
• 多結晶シリコンの破砕方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-193860   出願人：住友シチックス株式会社
• 単結晶製造用原料供給方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-248143   出願人：日本鋼管株式会社
• シリコン連続鋳造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-188135   出願人：株式会社住友シチックス尼崎
• シリコンの精製方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-045960   出願人：川崎製鉄株式会社
• 特公昭58-054115
  
• 特公昭58-054115
  
• 特公昭58-054115
  

引用文献：

審査官引用 (4件)

• 多結晶シリコン材料
• シリコンの科学, 19960628, p. 19
• シリコンの科学, 19960628, p. 19
• シリコンの科学, 19960628, p. 19