窒化物半導体レーザ素子

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-136095
公開番号（公開出願番号）：特開平9-321381
出願日： 1996年05月30日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：

【要約】【目的】主として、窒化物半導体よりなるレーザ素子のVfを低下させてレーザ素子の発熱量を小さくして、室温での連続発振を目指す。【構成】基板上部に、ストライプ状のn型層、活性層およびp型層を順に有し、p型層の一部がエッチングされてn型層の表面が露出されており、そのp型層の表面にストライプ状のp電極が形成され、一方、露出されたn型層の表面にストライプ状のn電極が形成されてなる窒化物半導体レーザ素子において、前記n電極はp電極に対して、ほぼ左右対称に設けられていることにより、n電極のコンタクト抵抗が下がり、かつ電流の流れが均一になるためVfが低下する。

請求項（抜粋）：

基板上部に、ストライプ状のn型層、活性層およびp型層を順に有し、p型層の一部がエッチングされてn型層の表面が露出されており、そのp型層の表面にストライプ状のp電極が形成され、一方、露出されたn型層の表面にストライプ状のn電極が形成されてなる窒化物半導体レーザ素子において、前記n電極はp電極に対して、ほぼ左右対称に設けられていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

引用特許：

審査官引用 (6件)

窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-318275 出願人：日亜化学工業株式会社
発光デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-263783 出願人：日亜化学工業株式会社
発光ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-222627 出願人：旭化成工業株式会社

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