特許
J-GLOBAL ID：200903047542096308
真空蒸着用ITiO焼結体およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鴨田 哲彰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-057700
公開番号（公開出願番号）：特開2008-214169
出願日： 2007年03月07日
公開日（公表日）： 2008年09月18日
要約：
【課題】高いパワーの電子ビームを照射しても、破損の起こらない真空蒸着用ITiO焼結体およびその製造方法を提供する。【解決手段】酸化In粉末と酸化Ti粉末とを混合し、1300°C以上1500°C以下の温度で熱処理し、仮焼粉末を得て、該仮焼粉末に、酸化In粉末、酸化Ti粉末、または、酸化Inと酸化Tiとの混合粉末の未仮焼粉末を、前記仮焼粉末の割合が、65質量%以上95質量%以下となるように添加し、混合し、粉砕し、造粒粉末を得て、該造粒粉末を成形し、1300°C以上1500°C以下の温度で焼結させることにより、焼結密度が4.2g/cm3以上5.6g/cm3以下である真空蒸着用ITiO焼結体を得る。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
酸化インジウム粉末と酸化チタン粉末とを混合し、1300°C以上1500°C以下の温度で熱処理することにより、仮焼粉末を得て、該仮焼粉末に、酸化インジウム粉末、酸化チタン粉末、または、酸化インジウムと酸化チタンとの混合粉末の未仮焼粉末を、前記仮焼粉末の割合が、65質量%以上95質量%以下となるように添加し、混合し、粉砕することにより、造粒粉末を得て、該造粒粉末を成形し、1300°C以上1500°C以下の温度で焼結させることを特徴とする真空蒸着用ITiO焼結体の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C04B35/00 J
, C23C14/24 E
4G030AA16
, 4G030AA34
, 4G030BA02
, 4G030GA08
, 4G030GA27
, 4K029BA50
, 4K029BC09
, 4K029CA01
, 4K029DB05
, 4K029DB08
, 4K029DB21
