薄膜トランジスタ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大胡典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-141541
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332254
出願日： 1999年05月21日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】半導体層側面の電流がTFTの特性に悪影響を及ぼし、TFTを液晶表示装置に用いた場合に画素電極の電圧保持特性を低下しあるいは回路のリークにより表示不良を生じるのを防止し、良好な表示品位を有する液晶表示装置を高い歩留まりで製造可能とする。【解決手段】半導体層21、22側面をアモルファス化した後酸化してゲート絶縁膜27の下地領域23、24を形成し、さらに半導体層21、23上にゲート絶縁膜27の表面領域である酸化シリコン(SiO2)膜26を形成する。これにより半導体層21、22上面のゲート絶縁膜27の膜厚より、半導体層21、22の側面の膜厚を厚くして、 n型p-SiTFT16及びp型p-SiTFT17の特性の安定化を図り、液晶表示装置の表示不良による歩留まり低下を防止する。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板と、この絶縁性基板上に島状に形成されチャネル領域及びこのチャネル領域を挟みソース領域並びにドレイン領域を有する半導体層と、この半導体層側面に被着する膜厚が前記半導体層上面に被着する膜厚より厚くなるよう前記半導体層を被覆するゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜上の前記チャネル領域に対応する領域に形成されるゲート電極とを具備する事を特徴とする薄膜トランジスタ装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/1365

FI (4件)：

H01L 29/78 617 S , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 617 V , H01L 29/78 621

Fターム (53件)：

2H092JA24 , 2H092JA25 , 2H092JA34 , 2H092JA37 , 2H092KA04 , 2H092KA05 , 2H092KB25 , 2H092MA08 , 2H092MA17 , 2H092MA23 , 2H092MA29 , 2H092NA29 , 2H092PA01 , 5F110AA06 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD14 , 5F110DD24 , 5F110EE06 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG22 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG39 , 5F110GG45 , 5F110GG51 , 5F110GG58 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL12 , 5F110HM02 , 5F110HM15 , 5F110NN02 , 5F110NN04 , 5F110NN23 , 5F110NN35 , 5F110PP03 , 5F110PP33 , 5F110PP35 , 5F110QQ02 , 5F110QQ09 , 5F110QQ11

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平1-122167
特開昭59-130465
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-026718 出願人：株式会社東芝

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