有機薄膜トランジスタ及びその製造方法。

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-213890
公開番号（公開出願番号）：特開2008-041914
出願日： 2006年08月04日
公開日（公表日）： 2008年02月21日
要約：

【課題】より簡便な構成で、より高性能な有機薄膜トランジスタ及びその製造方法、更にはそれを用いた電子機器を提供すること。【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極を覆い、複数の凹部が形成されるゲート絶縁膜と、複数の凹部に配置されるソース電極及びドレイン電極と、ソース電極及びドレイン電極の間の領域に配置され、ソース電極及びドレイン電極に接続される有機半導体層と、ソース電極及び、ドレイン電極、を有する有機薄膜トランジスタとする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ゲート電極と、前記ゲート電極を覆い、複数の凹部が形成されるゲート絶縁膜と、前記複数の凹部に配置されるソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間の領域に配置され、前記ソース電極及び前記ドレイン電極に接続される有機半導体層と、を有する有機薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 51/05

FI (3件)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 617S , H01L29/28 100A

Fターム (38件)：

5F110AA01 , 5F110AA07 , 5F110CC03 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE08 , 5F110EE14 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF12 , 5F110FF23 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF36 , 5F110GG05 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110NN02 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN36 , 5F110QQ19

引用特許：

出願人引用 (3件)

米国特許第6433359号明細書
米国特許第6569707号明細書
米国特許第6864504号明細書

審査官引用 (4件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-219647 出願人：ソニー株式会社
特開平4-134827
薄膜パターン形成方法、デバイスとその製造方法、液晶表示装置の製造方法、液晶表示装置、アクティブマトリクス基板の製造方法、電気光学装置及び電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-103418 出願人：セイコーエプソン株式会社

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