特許
J-GLOBAL ID:200903047591073712

ポジ型フォトレジスト組成物及びパターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小島 隆司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-230267
公開番号(公開出願番号):特開平8-076374
出願日: 1994年08月31日
公開日(公表日): 1996年03月22日
要約:
【要約】【構成】 アルカリ可溶性樹脂と、下記一般式(1)で表される感光剤とを主成分とするポジ型フォトレジスト組成物。【化1】(但し、式中Pjはj核体の重量比を表す係数であり、GPCポリスチレン換算値でP3=10〜60%、P4+P5=10〜50%、P6以上=15〜50%であり、また、Rは水素原子又は1,2-ナフトキノン-2-ジアジドスルホニル基であるが、Rの少なくとも一つは1,2-ナフトキノン-2-ジアジドスルホニル基である。)このポジ型フォトレジスト組成物を基盤上に塗布し、プリベークした後、露光し、アルカリ現像することにより、パターンを形成する。【効果】 本発明のポジ型フォトレジスト組成物は、i線用フォトレジストとして高解像性であり、焦点深度に優れたものであり、本発明のパターン形成方法によれば、i線露光法を採用してハーフミクロン以下の解像度及び焦点深度を効果的に達成することができる。
請求項(抜粋):
アルカリ可溶性樹脂と、下記一般式(1)で表される感光剤とを主成分とするポジ型フォトレジスト組成物。【化1】(但し、式中Pjはj核体の重量比を表す係数であり、GPCポリスチレン換算値でP3=10〜60%、P4+P5=10〜50%、P6以上=15〜50%であり、また、Rは水素原子又は1,2-ナフトキノン-2-ジアジドスルホニル基であるが、Rの少なくとも一つは1,2-ナフトキノン-2-ジアジドスルホニル基である。)
IPC (4件):
G03F 7/022 ,  G03F 7/26 512 ,  G03F 7/30 ,  H01L 21/027
FI (2件):
H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 569 F
引用特許:
審査官引用 (6件)
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