特許

J-GLOBAL ID：200903047613022890

半導体基板及びその作製方法

発明者： 大見 忠弘 ,  田中 信義 ,  篠原 壽邦 ,  牛木 健雄 ,  新田 雄久
出願人/特許権者： 大見 忠弘 ,  株式会社ウルトラクリーンテクノロジー開発研究所 ,  キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-214971
公開番号（公開出願番号）：特開平11-103035
出願日： 1998年07月30日
公開日（公表日）： 1999年04月13日
要約：

【要約】【課題】 安定した電磁波遮蔽効果を維持して、デバイス特性、高速動作性の劣化を抑制する金属SOIウエハ等の半導体基板及びその作製方法を提供することを目的とする。すなわち、本発明は、ギガ・スケール・インテグレーション(GSI)が可能な半導体基板を提供する。【解決手段】 基材の上に設けられた導電性材料層と、該導電性材料層の上に設けられた絶縁層と、該絶縁層上に設けられた半導体層と、を有する半導体基板において、前記導電性材料層は、金属同士の反応層、金属と半導体の反応層、金属と金属半導体化合物との反応層、半導体と金属半導体化合物との反応層、金属半導体化合物同士の反応層から選択される少なくとも1つからなる導電性の層を有し、前記導電性材料層と前記絶縁層との間及び/又は、前記基材と前記導電性材料層との間に、前記導電性材料とは異なる材料からなる反応抑止層を有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基材の上に設けられた導電性材料層と、該導電性材料層の上に設けられた絶縁層と、該絶縁層上に設けられた半導体層と、を有する半導体基板において、前記導電性材料層は、金属同士の反応層、金属と半導体の反応層、金属と金属半導体化合物との反応層、半導体と金属半導体化合物との反応層、金属半導体化合物同士の反応層から選択される少なくとも1つからなる導電性の層を有し、前記導電性材料層と前記絶縁層との間及び/又は、前記基材と前記導電性材料層との間に、前記導電性材料とは異なる材料からなる反応抑止層を有することを特徴とする半導体基板。

IPC (3件)：

H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 27/12 B ,  H01L 29/78 617 N ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 627 D

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体基板の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-041947   出願人：キヤノン株式会社
• 特開平4-283914
  
• 半導体基板貼付装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-056343   出願人：新日本製鐵株式会社
• 半導体基板の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-016513   出願人：キヤノン株式会社
• 薄膜状半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-285988   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Trends for Future Silicon Technology