特許
J-GLOBAL ID：200903047641891284

半導体レーザ装置、半導体レーザモジュールおよび半導体レーザ制御方法

発明者：
吉田 順自

吉田 順自 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-287875
公開番号（公開出願番号）：特開2003-174223
出願日： 2002年09月30日
公開日（公表日）： 2003年06月20日
要約：
【要約】【課題】 波長安定性が高く、かつキンクの発生を防止した半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 n-InP基板1上に、回折格子を内蔵する複数の発振縦モードのレーザ光を出力する半導体レーザ素子部と、その半導体レーザ素子部で生成されたレーザ光を増幅して外部に出力する光増幅器部とを形成することで光増幅器集積励起光源を実現する。これにより、半導体レーザ素子部の注入電流を固定することにより、発振波長が固定され、光増幅器の注入電流を変化させることで、レーザ素子部での光出力を変化させること出来る。したがって、キンクなどの不安定動作を生じることなく所望の光出力動作を実現することが出来る。
請求項（抜粋）：
レーザ光の出射端面と反射端面との間であってかつ活性層の近傍に形成された回折格子の波長選択特性によって、複数の発振縦モードのレーザ光を生成する半導体レーザ素子部と、前記半導体レーザ素子部が形成される半導体基板を共有して集積されるとともに、前記レーザ光の出力を調節する半導体光調節部と、を備えたことを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
H01S 5/026 610 ,  H01S 5/50 610
FI (2件)：
H01S 5/026 610 ,  H01S 5/50 610
Fターム (15件)：
5F073AA22 ,  5F073AA46 ,  5F073AA65 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073AB21 ,  5F073BA03 ,  5F073CA07 ,  5F073CB10 ,  5F073EA01 ,  5F073EA03 ,  5F073EA15 ,  5F073EA16 ,  5F073FA02 ,  5F073FA25
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (7件)
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