特許
J-GLOBAL ID：200903047650328460
半導体装置およびその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-356237
公開番号（公開出願番号）：特開平11-177102
出願日： 1997年12月08日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：
【要約】【課題】 信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】 活性層に一対の不純物領域102、103を形成する際にマスクによって串型形状の真性または実質的に真性な半導体領域104を形成する。この領域104は実効的にチャネル領域として機能する箇所とチャネルが形成されずにヒートシンクとして機能する箇所とで構成される。即ち、チャネル形成領域と同一材料でヒートシンクを形成することで放熱効果が向上する。
請求項（抜粋）：
薄膜半導体を活性層とする複数の薄膜トランジスタで形成された半導体回路を構成に含む半導体装置であって、前記活性層はN型またはP型を呈する一対の不純物領域と当該一対の不純物領域に挟まれた真性または実質的に真性な領域とを含み、前記真性または実質的に真性な領域は第1の領域と当該第1の領域から突出して設けられた第2の領域とで構成され、前記第1の領域のみゲイト電極と重なっていることを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 29/78 616 T
, H01L 29/78 618 C
