特許
J-GLOBAL ID：200903047675370518
受光素子及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-109765
公開番号（公開出願番号）：特開平9-298308
出願日： 1996年04月30日
公開日（公表日）： 1997年11月18日
要約：
【要約】【課題】 半導体表面で再結合して消滅する光キャリアを減少させ、侵入長の比較的短い光に対して高い感度で光電変換を達成する。【解決手段】 表面を有する第1導電型の半導体層2と、半導体層2の受光部に形成された少なくともひとつの第2導電型の不純物拡散層3とを備え、不純物拡散層3によってフォトダイオードが形成されている。不純物拡散層3内の第2導電型不純物は、半導体層2の表面に近づくほど濃度が高くなるように分布している。
請求項（抜粋）：
表面を有する第1導電型の半導体層と、該半導体層の受光部に形成された少なくともひとつの第2導電型の不純物拡散層とを備え、該不純物拡散層によってフォトダイオードが形成されている受光素子であって、該不純物拡散層内の第2導電型不純物は、該半導体層の該表面に近づくほど濃度が高くなるように分布している受光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/10 A
, H01L 21/265 H
