特許
J-GLOBAL ID：200903047676051734
半導体デバイスの金属層形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-174587
公開番号（公開出願番号）：特開平11-176770
出願日： 1998年06月22日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：
【要約】【課題】 スパッタリング法は、段差被覆力(ステップカバレッジ)が弱い。一方、化学気相蒸着法は、段差被覆力が良好な反面、成膜パラメータが複雑で、一定膜厚以上ではアルミニウム層の表面が粗く形成される欠点がある。【解決手段】 最初に、半導体基板104をローディングした蒸着チャンバ(デポジションチャンバ)100内へガス供給管109から金属ソースガスを供給し、半導体基板104上に金属を化学的に付着させて金属(アルミニウム)層を形成する。次に、金属ソースガスの供給を遮断するとともにパージガスをガス供給管111で蒸着チャンバ100内へ供給し、蒸着チャンバ内に反応せずに残留する金属ソースガスをガス排気口118より除去する。以上の一定厚さを形成するサイクルを繰り返すことにより、多層の金属層を形成するようにして所望の厚さの金属層を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板をチャンバ内へローディングする段階と、この後に金属ソースガスをチャンバ内へ供給して半導体基板上にその金属を化学的に付着させ、金属層を形成する段階と、この後に金属ソースガスの供給を遮断するとともにパージガスをチャンバ内へ供給し、チャンバ内に残留している金属ソースガスを除去する段階と、を実施することを特徴とする半導体デバイスの金属層形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/285
, H01L 21/203
, H01L 21/28 301
H01L 21/285 S
, H01L 21/203 Z
, H01L 21/28 301 L
