特許

J-GLOBAL ID：200903047681090560

配線構造体、半導体装置および配線構造体の製造方法

発明者： 大淵 真理
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 服部 毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-235614
公開番号（公開出願番号）：特開2009-070911
出願日： 2007年09月11日
公開日（公表日）： 2009年04月02日
要約：

【課題】製造プロセスを容易にして、特性を向上させる。【解決手段】導電部14aと、導電部14aと対向する導電部14bと、導電部14aと導電部14bとを接続するシート状炭素構造体15aと、を有する配線構造体10により、シート状炭素構造体15aのカイラリティの制御が容易にできて、シート状炭素構造体15aの電子状態に従って、シート状炭素構造体15aにバリスティック伝導を発現させることができるようにした。これにより、理想的な抵抗を得ることができ、配線にCNTを利用した場合と、同等もしくはそれ以上の特性を実現することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の導電部と、 前記第1の導電部と対向する第2の導電部と、 前記第1の導電部と前記第2の導電部とを接続するシート状炭素構造体と、 を有することを特徴とする配線構造体。

IPC (6件)：

H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 29/06 ,  B82B 1/00 ,  C01B 31/02 ,  C01B 31/04

FI (5件)：

H01L21/88 M ,  H01L29/06 601N ,  B82B1/00 ,  C01B31/02 101F ,  C01B31/04 101Z

Fターム (51件)：

4G146AA02 ,  4G146AA07 ,  4G146AB07 ,  4G146AB08 ,  4G146AC03A ,  4G146AD05 ,  4G146AD22 ,  4G146AD30 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC23 ,  4G146BC27 ,  4G146BC42 ,  4G146BC44 ,  4G146CB08 ,  4G146CB11 ,  4G146CB24 ,  4G146CB32 ,  5F033HH07 ,  5F033HH15 ,  5F033HH16 ,  5F033HH18 ,  5F033HH23 ,  5F033HH36 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ15 ,  5F033JJ16 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ23 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ36 ,  5F033KK01 ,  5F033NN03 ,  5F033NN07 ,  5F033PP02 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR06 ,  5F033RR25 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033WW01 ,  5F033XX33

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 炭素からなる骨格を持つ薄膜状粒子を基板に載せた構造物およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-032881   出願人：三菱瓦斯化学株式会社
• 素子、集積回路及びそれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-206005   出願人：シャープ株式会社
• 炭素を含むナノワイヤ構造
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2008-541404   出願人：ナノシス・インコーポレイテッド