素子、集積回路及びそれらの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：平木祐輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-206005
公開番号（公開出願番号）：特開2006-032477
出願日： 2004年07月13日
公開日（公表日）： 2006年02月02日
要約：

【課題】従来の電子デバイスはデバイス構造を立体構造で形成、または、新規材料を導入した場合に於いても、微細化に限界があり、大規模集積回路の形成が困難になるという課題があった。【解決手段】ゲート電極4、ソース・ドレイン5を設けた単位素子9は、配線8の中心部に中空状態で支持されている。ここで注意したいことは、単位素子9と配線8、また、配線8と配線8は空隙10(真空状態の空隙が好ましい)で電気的に絶縁される。CNT用いたメリットの一つとして、電気的な伝導方向の異方性があり、円筒状形状に対して水平方向には高い導電性があるものの、円筒状形状の垂直方向には導電性がほとんどない。このような性質を利用して電気的絶縁を可能にし、3次元ネットワーク構造を構築している。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

第1のカーボンナノチューブを含み、該第1のカーボンナノチューブの延在方向へのキャリアの伝導に基づいて動作する単位素子が複数集積化された集積回路であって、前記単位素子同士を電気的に接続する配線として第2のカーボンナノチューブを用いるとともに、該第2のカーボンナノチューブにより前記単位素子が支持されていることを特徴とする集積回路。

IPC (7件)：

H01L 29/786 , B82B 1/00 , H01L 27/00 , H01L 29/06 , H01L 21/320 , H01L 23/52 , H01L 29/78

FI (8件)：

H01L29/78 613Z , B82B1/00 , H01L27/00 301C , H01L27/00 301Z , H01L29/06 601N , H01L29/78 626Z , H01L21/88 M , H01L29/78 301B

Fターム (33件)：

4G146AA11 , 4G146AD16 , 4G146AD17 , 4G146AD30 , 4G146CB19 , 4G146CB22 , 5F033HH00 , 5F033QQ00 , 5F033QQ53 , 5F033VV06 , 5F033VV15 , 5F033XX03 , 5F110AA04 , 5F110BB04 , 5F110BB11 , 5F110EE01 , 5F110EE04 , 5F110EE22 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110GG05 , 5F110GG22 , 5F110NN62 , 5F110QQ11 , 5F140AA39 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BF03 , 5F140BF47 , 5F140BF54 , 5F140BH04 , 5F140CB01

引用特許：

出願人引用 (4件)

半導体基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-235352 出願人：株式会社東芝
半導体集積回路装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-173280 出願人：株式会社日立製作所
強誘電体メモリ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-211203 出願人：ソニー株式会社

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審査官引用 (5件)

電界効果トランジスタ
公報種別：公表公報出願番号：特願2002-507461 出願人：インフィネオンテクノロジーズアクチエンゲゼルシャフト
多層筒状炭素構造体及びその製造方法ならびに電子装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-338288 出願人：富士通株式会社
円筒状多層構造体による半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-275089 出願人：富士通株式会社

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