半導体装置及びその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-294940
公開番号（公開出願番号）：特開2004-134451
出願日： 2002年10月08日
公開日（公表日）： 2004年04月30日
要約：

【課題】Cu配線上に誘電体層Ta2O5を用いたMIMキャパシタにおいて、Ta2O5の誘電率を高く保ったままで、熱処理によるTa2O5中の酸素の拡散防止に適したバリア層材料とそれを用いたMIMキャパシタの製造方法を提供することである。【解決手段】Cu膜とTa2O5膜7間にCuの拡散防止・酸化防止のためのTa膜5を挿入することにより、キャパシタのリーク電流密度を低減した。また、Ta膜5とTa2O5膜7の間にAl2O3膜6を挿入することにより、MIMキャパシタ形成後の熱処理によるTa2O5膜7中の酸素がTa膜5中へ拡散するのを抑制し、熱処理後のMIMキャパシタのリーク電流を低減することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された酸化物誘電体キャパシタを有する半導体装置において、前記半導体基板上に形成された第1の金属電極と、前記第1の金属電極上に形成されたTa膜と、前記Ta膜上に形成されたTa2O5膜と、前記Ta2O5膜上に形成された第2の金属電極とを備え、前記Ta膜と前記Ta2O5膜との間に、前記Ta2O5膜中の酸素が前記Ta膜へ拡散するのを抑制する層を介在させることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L21/8242 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/108

FI (5件)：

H01L27/04 C , H01L27/06 102A , H01L27/10 621Z , H01L27/10 681F , H01L27/10 651

Fターム (56件)：

5F038AC05 , 5F038AC15 , 5F038AC18 , 5F038BG08 , 5F038CD18 , 5F038CD20 , 5F038DF05 , 5F038DF11 , 5F038DF12 , 5F038EZ14 , 5F038EZ15 , 5F038EZ17 , 5F038EZ20 , 5F048AB01 , 5F048AB03 , 5F048AB10 , 5F048AC03 , 5F048AC05 , 5F048AC10 , 5F048BA01 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BE02 , 5F048BE03 , 5F048BE04 , 5F048BF02 , 5F048BF06 , 5F048BF07 , 5F048BF12 , 5F048BG13 , 5F083AD21 , 5F083AD60 , 5F083JA03 , 5F083JA06 , 5F083JA35 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083JA53 , 5F083KA20 , 5F083MA06 , 5F083MA16 , 5F083MA19 , 5F083PR43 , 5F083PR44 , 5F083PR45 , 5F083PR46 , 5F083PR47 , 5F083PR48 , 5F083PR52 , 5F083PR53 , 5F083PR54 , 5F083PR55 , 5F083PR56 , 5F083PR57 , 5F083ZA04

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-070479 出願人：川崎製鉄株式会社
特開平4-239757
特開平4-229646

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