半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小杉佳男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-070479
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274428
出願日： 1998年03月19日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】容量素子を搭載した半導体装置であって、アナログ/デジタル混載型に適用でき、かつ歩留まり向上及び低コストを実現しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板1上に下部電極13を形成し、さらに開口孔5を有する層間絶縁膜4、誘電体膜6を順次堆積した後、接続孔7、配線溝を同時に孔明けし、タングステン膜を堆積後、タングステン膜をCMP法により誘電体膜を研磨ストッパとして研磨することにより上部電極15、接続プラグ9、配線8等を同時に形成し、且つこれらを金属配線することにより半導体装置を製造する。

請求項（抜粋）：

容量素子を有する半導体装置であって半導体基板上に形成された導電膜よりなる容量素子の下部電極と、該下部電極上に開口孔を有する層間絶縁膜と、該開口孔の底面及び側壁を覆う誘電体膜と、容量素子の上部電極として前記開口孔を充填した導電体を有し、該導電体と他の素子を金属配線により接続してなる半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/28 301 , H01L 21/768 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (4件)：

H01L 27/10 621 Z , H01L 21/28 301 R , H01L 21/90 B , H01L 27/04 C

引用特許：

審査官引用 (16件)

容量素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-125509 出願人：日本電信電話株式会社
特開平2-144958
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-034617 出願人：関西日本電気株式会社

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