特許
J-GLOBAL ID：200903047753625080

粒子線治療装置

発明者：
森山 國夫

森山 國夫 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 春日 讓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-114001
公開番号（公開出願番号）：特開2005-296162
出願日： 2004年04月08日
公開日（公表日）： 2005年10月27日
要約：
【課題】正確に患部を照射することができる粒子線治療装置を提供する。【解決手段】イオンビームを発生させる荷電粒子ビーム発生装置1と、イオンビームを走査する走査電磁石24,25を有し、荷電粒子ビーム発生装置1から発生されたイオンビームを照射する照射装置15と、イオンビームのビーム位置を検出するビーム位置モニタ27と、走査電磁石24,25の設定電流値とビーム位置モニタ27により検出したビーム位置データとを記憶する記憶装置55と、この記憶装置55に記憶された設定電流値及びビーム位置データを用い、治療計画データに基づくビーム位置データに応じて走査電磁石24,25の電流値を設定する走査電磁石電流設定値演算装置54とを備える。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
荷電粒子ビームを発生させる粒子線発生装置と、 前記荷電粒子ビームを走査する走査装置を有し、前記粒子線発生装置から発生された前記荷電粒子ビームを照射する照射装置と、 前記荷電粒子ビームのビーム位置を検出するビーム位置検出器と、 前記走査装置による前記荷電粒子ビームの走査量と前記ビーム位置検出器により検出したビーム位置とを記憶する記憶装置と、 前記記憶装置に記憶された走査量及びビーム位置を用い、治療計画情報に基づくビーム位置に応じて前記走査装置の走査量を設定する制御装置とを備えたことを特徴とする粒子線治療装置。
IPC (5件)：
A61N5/10 ,  G21K1/093 ,  G21K5/00 ,  G21K5/04 ,  H05H13/04
FI (8件)：
A61N5/10 H ,  A61N5/10 M ,  A61N5/10 S ,  G21K1/093 S ,  G21K5/00 A ,  G21K5/04 A ,  G21K5/04 C ,  H05H13/04 M
Fターム (17件)：
2G085AA13 ,  2G085BA11 ,  2G085BA19 ,  2G085CA02 ,  2G085CA04 ,  2G085CA20 ,  2G085CA22 ,  2G085CA26 ,  2G085EA07 ,  4C082AA01 ,  4C082AC04 ,  4C082AE02 ,  4C082AG12 ,  4C082AG21 ,  4C082AN05 ,  4C082AR02 ,  4C082AR14
引用特許：
審査官引用 (4件)
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