特許
J-GLOBAL ID：200903047818856174

半導体レーザ素子およびその製造方法ならびに半導体レーザ装置

発明者：
瀧本 真恵

瀧本 真恵 について

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苅田 秀孝

苅田 秀孝 について

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上島 研一

上島 研一 について

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川中 敏

川中 敏 について

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田中 俊明

田中 俊明 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-039185
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232671
出願日： 1996年02月27日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：
【要約】【課題】 電気容量低減型半導体レーザの高出力・長寿命化。【解決手段】 n型GaAs基板と、前記n型GaAs基板の主面にn型GaAsバッファ層を介して設けられたn型AlGaInP光導波層と、前記n型AlGaInP光導波層上に設けられた活性層(GaInP/AlX Ga1-X InP歪多重量子井戸構造活性層)と、前記活性層上に設けられたp型AlGaInP光導波層と、前記p型AlGaInP光導波層側から設けられかつ前記活性層を貫いて前記n型AlGaInP光導波層の表層部分にまで到達する2条の溝と、前記2条の溝に挟まれかつ光導波路を含む帯状の光導波路形成部とを有する半導体レーザ素子であって、前記溝は前記光導波路形成部の端側で屈曲し前記光導波路形成部の端部分の幅が他の部分に比較して広くなっている。【効果】 光導波路形成部の端での放熱性が高く高出力化・長寿命化が図れる。
請求項（抜粋）：
化合物半導体基板と、前記化合物半導体基板の主面側に直接または所望の化合物半導体層を介して設けられた化合物半導体層からなる第1導電型光導波層と、前記第1導電型光導波層上に設けられた化合物半導体層からなる活性層と、前記活性層上に設けられた化合物半導体層からなる第2導電型光導波層と、前記第2導電型光導波層側から設けられかつ前記活性層を貫いて前記第1導電型光導波層の表層部分にまで到達する2条の溝と、前記2条の溝に挟まれかつ光導波路を含む帯状の光導波路形成部とを有する半導体レーザ素子であって、前記溝は前記光導波路形成部の端側で屈曲し前記光導波路形成部の端部分の幅が他の部分に比較して広くなっていることを特徴とする半導体レーザ素子。
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (3件)

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