特許
J-GLOBAL ID：200903047854840241

ナノパターン形成方法、ナノパターン形成材料および電子部品の製造方法

発明者：
斎藤 聡

斎藤 聡 について

, 
浅川 鋼児

浅川 鋼児 について

, 
後河内 透

後河内 透 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-084993
公開番号（公開出願番号）：特開2002-287377
出願日： 2001年03月23日
公開日（公表日）： 2002年10月03日
要約：
【要約】【課題】 均一な構造を有するとともに規則性のあるナノオーダーのパターンを、安価にかつ高度に位置制御して形成可能なパターン形成方法を提供する。【解決手段】 基板(1)上に、共重合ポリマーを含む樹脂層(2)を形成する工程と、前記樹脂層の所定の領域に赤外線、可視光線、紫外線または電離放射線(3)を照射する工程と、前記照射後の樹脂層に熱アニール処理を施して、前記樹脂層の未照射部(6)にミクロ相分離構造を発現させる工程とを具備することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
基板上に、共重合ポリマーを含む樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層の所定の領域に赤外線、可視光線、紫外線または電離放射線を照射する工程と、前記照射後の樹脂層に熱アニール処理を施して、前記樹脂層の照射部または未照射部にミクロ相分離構造を発現させる工程とを具備することを特徴とするナノパターン形成方法。
IPC (3件)：
G03F 7/38 511 ,  B82B 3/00 ,  G03F 7/004 521
FI (3件)：
G03F 7/38 511 ,  B82B 3/00 ,  G03F 7/004 521
Fターム (25件)：
2H025AA02 ,  2H025AB13 ,  2H025AB14 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC01 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BH04 ,  2H025CB14 ,  2H025CB16 ,  2H025FA12 ,  2H025FA19 ,  2H096AA27 ,  2H096AA28 ,  2H096BA20 ,  2H096EA02 ,  2H096FA01 ,  2H096FA10 ,  2H096HA23
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (2件)

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