特許
J-GLOBAL ID：200903047855766495

熱処理装置及びそれを用いた熱処理方法

発明者：
浅岡 康

浅岡 康 について

, 
金子 忠昭

金子 忠昭 について

, 
佐野 直克

佐野 直克 について


出願人/特許権者：
学校法人関西学院

学校法人関西学院 について


代理人 (2件)： 梶 良之 ,  須原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-333266
公開番号（公開出願番号）：特開2004-297034
出願日： 2003年09月25日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：
【課題】 次世代の単結晶SiCの形成に好適な、圧力10-2Pa以下又は予め圧力10-2Pa以下に到達した後に不活性ガスを導入した希薄ガス雰囲気下であっても短時間で1200°C〜2,300°Cに加熱することができる熱処理装置及びそれを用いて熱処理方法を提供する。【解決手段】 被処理物を圧力10-2Pa以下、又は予め圧力10-2Pa以下に到達した後に不活性ガスを導入した希薄ガス雰囲気下において短時間で1200°C〜2,300°Cに加熱する加熱室2と、前記加熱室2に連結され、前記加熱室2に被処理物5を移動するための移動手段10が設けられている前室4と、前記前室4に連結され、前記被処理物5を10-2Pa以下の圧力下において予め800°C以上に加熱する予備加熱室3と、を備えてなる熱処理装置とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
被処理物を圧力10-2Pa以下、好ましくは10-5Pa以下の真空、又は予め圧力10-2Pa以下に好ましくは10-5Pa以下の真空に到達した後に不活性ガスを導入した希薄ガス雰囲気下において短時間で1200°C〜2,300°Cに加熱する加熱室と、 前記加熱室に連結され、前記加熱室に被処理物を移動するための移動手段が設けられている前室と、 前記前室に連結され、前記被処理物を10-2Pa以下好ましくは10-5Pa以下の真空において予め800°C以上に加熱する予備加熱室と、を備えてなる熱処理装置。
IPC (2件)：
H01L21/324 ,  H01L21/208
FI (2件)：
H01L21/324 Z ,  H01L21/208 Z
Fターム (7件)：
5F053AA50 ,  5F053BB58 ,  5F053DD02 ,  5F053FF04 ,  5F053FF05 ,  5F053GG01 ,  5F053HH04
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (2件)
  • 真空熱処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-074978   出願人：日本真空技術株式会社
  • 特開平4-062389

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