特許
J-GLOBAL ID：200903047868718716

マスクパターン補正方法及び該補正方法に用いられる露光マスク

発明者：
臼井 聡

臼井 聡 について

, 
橋本 耕治

橋本 耕治 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-236849
公開番号（公開出願番号）：特開平11-133586
出願日： 1998年08月24日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：
【要約】【課題】ウエハ寸法の変動量と補正量の相関を考慮してマスク補正ルールを作成し、複数の異なる製造装置でも同一デバイスの作成を可能にすること。【解決手段】トータルプロセスを経たウエハでACLVを用いて、寸法変動量とパターン疎密依存性を電気的に測定し、ウエハ上での片側エッジ当たりの寸法変動量を求める(ステップS11a、S12a)。また、設計寸法と仕上がり寸法の相関値から、補正ファクタを取得し、該補正ファクタのパターン疎密依存性を取得する(ステップS11b、S12b)。次に、パターンの疎密依存性を一致させて、片エッジ当たりの寸法変動量を上記補正ファクタで除する(ステップS13)。この結果を、マスク描画装置の最小グリッド幅で分割して、マスク描画装置のグリッドにのる点のx座標を求める(ステップS14)。このx座標に基いて、1グリッド分の補正領域、2グリッド分の補正領域、...を決定する(ステップS15)。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハ上のパターン寸法とパターン設計寸法との相関係数を求める第1のプロセスと、この第1のプロセスにより求められた相関係数に基いて、マスクパターンの捕正を行う第2のプロセスとを具備することを特徴とするマスクパターン補正方法。
IPC (2件)：
G03F 1/08 ,  H01L 21/027
FI (3件)：
G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 502 W ,  H01L 21/30 502 P
引用特許：
審査官引用 (5件)
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