特許

J-GLOBAL ID：200903047877699228

半導体装置用組成物、およびそれを用いた半導体装置の製造方法

発明者： 諏訪 充史
出願人/特許権者： 東レ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-253713
公開番号（公開出願番号）：特開2004-095773
出願日： 2002年08月30日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：

【課題】除去性に優れた半導体装置に用いられる有機平坦化材料を提供する。【解決手段】光および/または熱処理(前処理)により、有機溶剤および/またはアルカリ水溶液に不溶となり、さらに光および/または熱処理(後処理)後、ドライエッチング処理する組成物に関し、前記後処理後のエッチングレートが、前記前処理後のエッチングレートに対し、1.2倍以上であり、該組成物が下記(a)および/または(b)を含有することを特徴とする半導体装置用組成物。(a)23°C大気圧下で液体である有機低分子化合物に可溶性のポリマー(b)重合性基および/または架橋性基を有する低分子化合物【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

光および/または熱処理(前処理)により、有機溶剤および/またはアルカリ水溶液に不溶となり、さらに光および/または熱処理(後処理)後、ドライエッチング処理する組成物に関し、前記後処理後のエッチングレートが、前記前処理後のエッチングレートに対し、1.2倍以上であり、該組成物が下記(a)および/または(b)を含有することを特徴とする半導体装置用組成物。 (a)23°C大気圧下で液体である有機低分子化合物に可溶性のポリマー (b)重合性基および/または架橋性基を有する低分子化合物

IPC (4件)：

H01L21/312 ,  C08F291/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/768

FI (4件)：

H01L21/312 A ,  C08F291/00 ,  H01L21/302 105A ,  H01L21/90 A

Fターム (39件)：

4J026AA17 ,  4J026AA44 ,  4J026AB02 ,  4J026AB07 ,  4J026AB17 ,  4J026AB19 ,  4J026BA17 ,  4J026BA28 ,  4J026DB06 ,  4J026DB12 ,  4J026DB13 ,  4J026DB36 ,  4J026GA07 ,  5F004AA11 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA16 ,  5F004DA23 ,  5F004DB23 ,  5F004EA26 ,  5F004EB01 ,  5F004EB03 ,  5F004FA01 ,  5F004FA08 ,  5F033HH11 ,  5F033JJ11 ,  5F033KK00 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033QQ04 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ37 ,  5F033XX01 ,  5F058AA06 ,  5F058AC10 ,  5F058AG01 ,  5F058AG09 ,  5F058AH10

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 多層配線構造の形成方法及び半導体装置の多層配線構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-036149   出願人：日本電気株式会社
• 配線形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-275779   出願人：シャープ株式会社
• 半導体集積回路の製造方法、半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-009221   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-381504   出願人：株式会社東芝